替代進(jìn)口R&S的UAS天線架，高度調(diào)節(jié)范圍：0.8-2m，俯仰、極化可調(diào)。
在電磁兼容測(cè)試系統(tǒng)中，對(duì)于輻射騷擾和輻射抗擾度的測(cè)試屬于基礎(chǔ)性的測(cè)試項(xiàng)目，也是特別重要的測(cè)試內(nèi)容。而這兩部分測(cè)試都需要使用天線這一重要的設(shè)備。人們通常對(duì)天線的各項(xiàng)性能指標(biāo)（如天線增益）非常關(guān)注，但往往忽略天線實(shí)際測(cè)量時(shí)的架設(shè)問題。錯(cuò)誤的架設(shè)姿態(tài)，不符合要求的測(cè)試位置、測(cè)試高度等因素與其他常見因素一樣，能夠影響測(cè)試結(jié)果。因此，正確安裝天線顯得越發(fā)重要。
為避免對(duì)電波的傳播造成各種反射影響，在安裝天線時(shí)，通常使用非金屬的絕緣材料支架。本天線支架針對(duì)電磁兼容測(cè)試系統(tǒng)需要，特殊設(shè)計(jì)，關(guān)鍵部件均采用高強(qiáng)度絕緣材料制成，可滿足電磁兼容測(cè)試系統(tǒng)需要。
為了方便對(duì)EMC天線架的方向圖特性進(jìn)行比較，就需要規(guī)定一些特性參數(shù)。主要包括：主瓣寬度，旁瓣電平，前后比，方向系數(shù)等。
1.主瓣寬度：是衡量天線的輻射區(qū)域的尖銳程度的物理量。通常取天線方向圖主瓣兩個(gè)半功率點(diǎn)之間的寬度。
2.旁瓣電平：是指離主瓣最近且電平最高的第一旁瓣的電平，一般以分貝表示。
3.前后比：是指輻射方向（前向）電平與其相反方向（后向）電平之比，通常以分貝為單位。
4.方向系數(shù)：在離天線某一距離處，天線在輻射方向上的輻射功率流密度與相同輻射功率的理想無方向性天線在同一距離處的輻射功率流密度之比。
天線輻射電磁場(chǎng)在以天線為中心，某一距離為半徑的球面上隨空間角度（包括方位角和俯仰角）分布的圖形，稱為輻射方向圖，簡(jiǎn)稱方向圖。球面的半徑，也就是場(chǎng)點(diǎn)到天線的距離必須滿足遠(yuǎn)區(qū)條件。
因?yàn)樘炀€方向圖一般呈花瓣?duì)睿视址Q為波瓣圖，輻射方向兩側(cè)第一個(gè)零輻射方向線以內(nèi)的波束稱為主瓣，與主瓣方向相反的波束稱為背瓣，其余零輻射方向間的波束稱為副瓣或旁瓣。
主營(yíng)產(chǎn)品：
TEM小室，GTEM小室，測(cè)試儀器儀表，屏蔽室，電波暗室，電磁兼容
產(chǎn)品型號(hào)：FF-UAS
更新時(shí)間：2023-05-11
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